Thuis > producten > Afzonderlijke Halfgeleiderproducten >

BFQ19SH6359XTMA1

BFQ19SH6359XTMA1

fabrikant:

Infineon Technologies

Beschrijving:

BFQ19S - RF klein bipolair signaal

Snelle RFQ

In voorraad:

Stuur een RFQ, we zullen onmiddellijk reageren. (*is verplicht)

Productgegevens

Mfr.Deel #:

BFQ19SH6359XTMA1

Voorraad:

35000

Productcategorie:

Bipolaire transistors - (BJT) - rf

Stroom - collector (Ic) (max):

120 mA

Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:

70 @ 70mA, 8V

Frequentie - Overgang:

5,5 GHz

Gewin:

11.5 dB

Montage-type:

Oppervlakte

Ruiscijfer (dB Typ @ f):

1.8 dB ~ 3 dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Werktemperatuur:

150°C (TJ)

Pakket / doos:

Aan-243AA

Vermogen - Max.:

Productstatus:

Actief

Type transistor:

NPN

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):

15V

Productbeschrijving

BFQ19SH6359XTMA1 VERWANTE PRODUCTEN

2N3499

2N3499Gegevensblad

Meer informatie

2N3500

2N3500Gegevensblad

Meer informatie

NE97833-T1B-A

NE97833-T1B-AGegevensblad

Meer informatie

BLT50,115

BLT50,115Gegevensblad

Meer informatie

BFR93AR,215

Meer informatie

BFP420H6327XTSA1

Typische toepassingen Low-Noise Amplifiers (LNA's): ideaal voor RF-front-end toepassingen in communicatiesystemen. Oszillatoren: geschikt voor oscillatoren tot 10 GHz. Mixers: worden gebruikt in frequentiemixtoepassingen vanwege hun hoge winst en lage geluidskenmerken.

Meer informatie

BFG93A/X,215

Meer informatie

SD1274

Meer informatie

SD1275

Meer informatie

NE856M02-T1-AZ

Meer informatie

NTE2633

Meer informatie

MX0912B251Y

Meer informatie

ON5040

Meer informatie

RX1214B300YI

Meer informatie

ON5087115

Meer informatie

BFP540

Meer informatie

BFP183

Meer informatie

BFR35AP

Meer informatie

KST10MTF

Meer informatie

2SC2620QCTL-E

Meer informatie