producten

fabrikanten

Over ons

nieuws

RFQ

Partner met ons

dutch

Thuis > producten > Afzonderlijke Halfgeleiderproducten >

RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F

fabrikant:

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschrijving:

Trans Prebias NPN 50V 0,1A VESM

Verpakking van de leverancier:

VESM

Snelle RFQ

In voorraad:

Stuur een RFQ, we zullen onmiddellijk reageren. (*is verplicht)

Productgegevens

Mfr.Deel #:

RN1106MFV,L3F

Voorraad:

3150

Productcategorie:

Transistors - Bipolair (BJT) - Eénvoudig, voorgevoelig

Stroom - collector (Ic) (max):

100 MA

Stroom - collectievergrens (maximaal):

500nA

Gelijkstroomwinst (hFE) (min) @ Ic, Vce:

80 @ 10mA, 5V

Montage-type:

Oppervlakte

Pakket / doos:

SOT-723

Vermogen - Max.:

150 mw

Productstatus:

Actief

Resistor - basis (R1):

4,7 kOhm

Resistor - basis van de zender (R2):

47 kOhms

Type transistor:

Pre-Pre-Biased NPN -

Vce verzadiging (max) @ Ib, Ic:

300mV @ 500μA, 5mA

Spanning - Verdeling van de collectoremitter (max):

50 V

Productbeschrijving

RN1106MFV,L3F VERWANTE PRODUCTEN

PDTC124TT,215

Meer informatie

RN1303, LF

Meer informatie

UNRF2A300A

Meer informatie

UNRF2AN00A

Meer informatie

UNRF1A300A

Meer informatie

DTC343TKT146

Meer informatie

MMUN2111LT3G

Meer informatie

UNR212200L

Meer informatie

UNR411400A

Meer informatie

UNR411E00A

Meer informatie

UNR222300L

Meer informatie

UNR221D00L

Meer informatie

UNR52A4G0L

Meer informatie

UNR511500L

Meer informatie

UNR9111G0L

Meer informatie

UNR32A1G0L

Meer informatie

UNR211300L

Meer informatie

UNR515400L

Meer informatie

UNR211000L

Meer informatie

UNR92ANG0L

Meer informatie