IMZC120R012M2HXKSA1-Gegevensblad
- Zeer lage verliezen.
- Overbelasting tot Tvj= 200°C.
- Kortsluitingstijd van 2 μs.
Robuuste diode voor harde commutatie.
- XT-interconnectietechnologie voor verbeterde thermische prestaties.
De IMZC120R012M2H is een 1200 V, 12 mΩ N-kanaal siliciumcarbide (SiC) MOSFET van Infineon Technologies, ontworpen voor toepassingen met een hoge efficiëntie en hoge vermogendichtheid.